使用宽带隙器件做电路设计时的注意事项
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Milan Ivkovic
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2022年5月30日
碳化硅和氮化镓宽带隙半导体开关可以为功率转换器的能效带来进一步的提高。工程师应该知道,与Si-MOSFETS 和IGBT 相比,它们具有不同的次级特性。
针对电机控制应用选择宽带隙器件
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Milan Ivkovic
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2022年5月30日
当涉及智能控制应用时,我们需要冷静考虑是否从MOSFET或IGBT转换到宽带隙器件更有意义。如果答案是肯定的,那么方能决定采用碳化硅还是氮化镓。
借助 SiC 技术,实现三大设计自由
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Milan Ivkovic
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2021年4月17日
尽管 SiC 技术的性能和潜力毋庸置疑,但一些设计人员最初可能仍然会犹豫不决,无法下定决心使用 SiC 技术来处理新项目
与 Si 相比,SiC 技术优势毋庸置疑
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Milan Ivkovic
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2021年4月16日
目前,碳化硅 (SiC) 技术发展到了引爆点,它的明显优势推动着实际应用的广泛采用。
The undeniable advantages of SiC technology over Si
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Milan Ivkovic
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2021年4月16日
Silicon carbide (SiC) technology has reached the tipping point, the state when undeniable advantages push a technology into rapid adoption.