使用寬能隙器件做電路設計時的注意事項
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Milan Ivkovic
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2021年12月20日
SiC和GaN等寬能隙半導體開關可以使功率轉換器的效率提高一大步。工程師應該知道,與Si-MOSFETS和IGBT相比,它們具有不同的次級特性。
針對電機控制應用選擇寬能隙器件
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Milan Ivkovic
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2021年12月20日
當涉及智慧控制應用時,我們需要先退一步思考是否從MOSFET或IGBT轉換到寬能隙器件更有意義。如果答案是肯定的,那麼方能決定採用碳化矽還是氮化鎵。
借助 SiC 技術,實現三大設計自由
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Milan Ivkovic
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2021年4月17日
儘管 SiC 技術的性能和潛力無庸置疑,但一些設計人員最初可能仍然會猶豫不決,無法下定決心使用 SiC 技術來處理新專案
與Si 相比,SiC 技術優勢無庸置疑
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Milan Ivkovic
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2021年4月16日
目前,碳化矽 (SiC) 技術發展到了引爆點,它的明顯優勢推動著實際應用的廣泛採用。