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宽禁带技术
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宽禁带技术的实际应用已经达到了临界点，它的作用和功效不可否认。无论你是在探索碳化硅（SiC）还是氮化镓（GaN）电源解决方案，都可深入了解安富利关于宽禁带技术不断发展中的最新信息。
When GaN is too fast for your application, consider SiC instead
By
Avnet Staff
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2023年4月24日
The best power converters are not always the ones that switch the fastest. Gallium Nitride (GaN) switches faster than other power transistors, but sometimes it is too fast. Silicon Carbide (SiC) MOSFETs may sometimes be a better option.
您知道碳化硅品质优值（Figures of Merit）的重要性吗
2022年10月15日
碳化硅半导体在电力转换设备中越来越普遍，特别是在电动汽车、太阳能和储能系统领域。本文回顾了它的各种应用，并探讨可用于器件比较的碳化硅品质优值（Figures of Merit）。
How wide bandgap semiconductors are improving renewable energy design
2022年7月13日
While silicon served us admirably for half a century, engineers are turning to wide bandgap technologies such as silicon carbide and gallium nitride to increase converter/inverter efficiency as momentum to harness renewable energy increases.
使用宽带隙器件做电路设计时的注意事项
By
Milan Ivkovic
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2022年5月30日
碳化硅和氮化镓宽带隙半导体开关可以为功率转换器的能效带来进一步的提高。工程师应该知道，与Si-MOSFETS 和IGBT 相比，它们具有不同的次级特性。
针对电机控制应用选择宽带隙器件
By
Milan Ivkovic
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2022年5月30日
当涉及智能控制应用时，我们需要冷静考虑是否从MOSFET或IGBT转换到宽带隙器件更有意义。如果答案是肯定的，那么方能决定采用碳化硅还是氮化镓。
借助 SiC 技术，实现三大设计自由
By
Milan Ivkovic
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2021年4月17日
尽管 SiC 技术的性能和潜力毋庸置疑，但一些设计人员最初可能仍然会犹豫不决，无法下定决心使用 SiC 技术来处理新项目
The undeniable advantages of SiC technology over Si
By
Milan Ivkovic
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2021年4月16日
Silicon carbide (SiC) technology has reached the tipping point, the state when undeniable advantages push a technology into rapid adoption.