寬能隙技術的實際應用已經達到了臨界點,它的作用和功效不可否認。無論你是在探索碳化矽(SiC)還是氮化鎵(GaN)電源解決方案,都可深入瞭解安富利關於寬能隙技術不斷發展中的最新資訊。
When GaN is too fast for your application, consider SiC instead
By
Avnet Staff
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2023年4月24日
The best power converters are not always the ones that switch the fastest. Gallium Nitride (GaN) switches faster than other power transistors, but sometimes it is too fast. Silicon Carbide (SiC) MOSFETs may sometimes be a better option.
穩健性測試對碳化矽供應鏈來說不可或缺
2022年11月10日
在高可靠性、高可用性的應用中,SiC半導體被視為新興技術。本文不僅介紹了SiC的優勢,還詳述了含有穩健性測試的端到端供應鏈,穩健的供應鏈使得SiC的品質更安全可靠。
您知道碳化矽優值係數(Figures of Merit)的重要性嗎
2022年11月10日
碳化矽半導體在電力轉換設備中正變得無處不在,特別是在電動汽車、太陽能和儲能系統領域。本文通過分析各種應用,細緻探討了可用於比較器件的優值係數(Figures of Merit)。
How wide bandgap semiconductors are improving renewable energy design
2022年7月13日
While silicon served us admirably for half a century, engineers are turning to wide bandgap technologies such as silicon carbide and gallium nitride to increase converter/inverter efficiency as momentum to harness renewable energy increases.
近距離觀測碳化矽的品質
2022年6月27日
碳化矽製造建立在現有的生產方法之上,但需要全新的工藝。提高產量和降低成本,有賴於在生產過程的每個階段保證最高品質。
車用寬能隙半導體的進步
By
Jason Struble
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2022年5月30日
查看老一代矽基IGBT和MOSFET與新一代碳化矽開關之間的技術和成本比較
使用寬能隙器件做電路設計時的注意事項
By
Milan Ivkovic
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2021年12月20日
SiC和GaN等寬能隙半導體開關可以使功率轉換器的效率提高一大步。工程師應該知道,與Si-MOSFETS和IGBT相比,它們具有不同的次級特性。
針對電機控制應用選擇寬能隙器件
By
Milan Ivkovic
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2021年12月20日
當涉及智慧控制應用時,我們需要先退一步思考是否從MOSFET或IGBT轉換到寬能隙器件更有意義。如果答案是肯定的,那麼方能決定採用碳化矽還是氮化鎵。
借助 SiC 技術,實現三大設計自由
By
Milan Ivkovic
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2021年4月17日
儘管 SiC 技術的性能和潛力無庸置疑,但一些設計人員最初可能仍然會猶豫不決,無法下定決心使用 SiC 技術來處理新專案